رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
CXDM1002N TR PBFREE
Product Overview
المُصنّع:
Central Semiconductor Corp
رقم الجزء DiGi Electronics:
CXDM1002N TR PBFREE-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 2A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SOT-89
المخزون:
2739 قطع جديدة أصلية في المخزون
12789624
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
cj8b
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
CXDM1002N TR PBFREE المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Central Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
300mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
550 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-89
العبوة / العلبة
TO-243AA
رقم المنتج الأساسي
CXDM1002
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
موارد التصميم
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
CXDM1002N DKR
CXDM1002N TR LEAD FREE
1514-CXDM1002NTRPBFREETR
CXDM1002N CT
CXDM1002N TR
1514-CXDM1002NTRPBFREEDKR
CXDM1002N DKR-DG
1514-CXDM1002NTRPBFREECT
CXDM1002NTR-DG
CXDM1002NCT
CXDM1002NCT-DG
CXDM1002N CT-DG
CXDM1002NDKR
CXDM1002NTR
CXDM1002N TR-DG
CXDM1002NDKR-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
CDM7-650 TR13 PBFREE
MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
CXDM4060N TR PBFREE
MOSFET N-CH 40V 6A SOT-89
CSD19533Q5A
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
